半导体资料专家梁骏吾院士去世
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半导体资料专家梁骏吾院士去世。
【光亮追思】。
半导体资料专家、我国工程院院士、我国科学院半导体所研讨员梁骏吾，因病医治无效，于2022年6月23日在北京去世，享年89岁。
梁骏吾，1933年9月18日出世，湖北武汉人。1955年结业于武汉大学，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研讨所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。?1997年当选为我国工程院院士。曾任我国电子学会半电子资料学分会主任、声誉主任。
梁骏吾是我国从事硅资料研讨的元老级专家，在20世纪60年代处理了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延资料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、卑微缺点、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代创始了掺氮中子嬗变硅单晶，处理了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研讨MOCVD成长超晶格量子阱资料，在晶体完整性、电学功能和超晶格结构操控方面，将我国超晶格量子阱资料推进到有用水平。
梁骏吾终身与半导体资料科研工作相伴，他曾在采访中说，期望经过自己的科研阅历，带给年青科研人员一些启示，让他们看到这份工作可以有所作为，让他们觉得自己相同可以作出成果。（光亮日报全媒体记者李苑）。
